| 次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算 | |
| 韦亚一; 陶兆民; 黄力明 | |
| 1994-10-15 | |
| 发表期刊 | 真空科学与技术
 |
| ISSN | 0253-9748 |
| 期号 | 05页码:366-370 |
| 摘要 | 在总结前人工作的基础上，利用MonteCarlo方法建立了次级电子激发过程的数学模型。然后利用此模型计算了一类重要的次级发射体──高铅硅酸盐玻璃的次级发射性能。本文首次把次级电子发射体的材料构成与其次级电子发射性能通过MonteCarlo计算联系了起来，为新型次级电子发射材料的设计提供了一种计算方法。 |
| 关键词 | 蒙特卡罗方法 次级电子 次级电子发射 次级电子发射体 高铅硅酸盐玻璃 |
| DOI | 10.13922/j.cnki.cjovst.1994.05.012 |
| URL | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/136085 |
| 专题 | 国家开放大学 |
| 作者单位 | 中国科学院电子研究所!北京100080;镇江广播电视大学!镇江212003 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦亚一,陶兆民,黄力明. 次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算[J]. 真空科学与技术,1994(05):366-370. |
| APA | 韦亚一,陶兆民,&黄力明.(1994).次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算.真空科学与技术(05),366-370. |
| MLA | 韦亚一,et al."次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算".真空科学与技术 .05(1994):366-370. |
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