Cu《sub》2《/sub》CdSnS《sub》4《/sub》电子结构与光学性质的第一性原理计算

	Cu《sub》2《/sub》CdSnS《sub》4《/sub》电子结构与光学性质的第一性原理计算
	朱汉明 1; 康昆勇 2
	2024
发表期刊	材料科学
ISSN	2160-7613
卷号	14 期号:3 页码:312-318
摘要	本文采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了Cu2CdSnS4四种结构(W-KS、W-ST、KS和ST)的结构性质、能带结构和光学特性。计算结果表明,Cu2CdSnS4的四种结构表现出p型的直接带隙半导体,KS、ST、W-KS和W-ST相的带隙计算值分别为1.1 eV、0.96 eV、1.3 eV和1.0 eV。相比于其他三种结构,KS相结构具有较大的静电常数和吸收系数,有潜力成为薄膜太阳电池的吸收材料。
关键词	Cu《sub》2《/sub》CdSnS《sub》4《/sub》第一性原理能带结构光学性质
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语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/170377
专题	国家开放大学云南分部
作者单位	1.云南开放大学光电与通信工程学院,云南昆明; 2.西南林业大学材料科学与工程学院,云南昆明
第一作者单位	国家开放大学云南分部
第一作者的第一单位	国家开放大学云南分部
推荐引用方式 GB/T 7714	朱汉明,康昆勇. Cu《sub》2《/sub》CdSnS《sub》4《/sub》电子结构与光学性质的第一性原理计算[J]. 材料科学,2024,14(3):312-318.
APA	朱汉明,&康昆勇.(2024).Cu《sub》2《/sub》CdSnS《sub》4《/sub》电子结构与光学性质的第一性原理计算.材料科学,14(3),312-318.
MLA	朱汉明,et al."Cu《sub》2《/sub》CdSnS《sub》4《/sub》电子结构与光学性质的第一性原理计算".材料科学 14.3(2024):312-318.