硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究
田勇亮1; 丁佩2
2008-04-15
发表期刊天中学刊
ISSN1006-5261
卷号No.149期号:02页码:23-26
摘要采用高温热解法,以硼氢化纳/乙二胺(NaBH4/C2H8N2)饱和溶液为前驱液在沉积有铁催化剂的硅基底上生长硼碳氮(BCN)纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、扫描俄歇微探针和拉曼光谱对BCN纳米管进行形貌观察和表征.BCN纳米管的高度在20μm左右,直径在50~100 nm之间,具有明显的"竹节状"结构,结晶有序度较差.对BCN纳米管薄膜进行低场致电子发射性能测试,开启电场1.8 V/μm,外电场升至2.48 V/μm时发射电流170μA/cm2,当外加电场大于5.5 V/um时,可以观察到发射点均匀分布的场致电子发射图像.
关键词硼碳氮纳米管 高温热解 拉曼光谱 场致发射
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语种中文
原始文献类型学术期刊
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/102976
专题国家开放大学河南分部
作者单位1.驻马店广播电视大学;
2.郑州航空工业管理学院
第一作者单位国家开放大学河南分部
第一作者的第一单位国家开放大学河南分部
推荐引用方式
GB/T 7714
田勇亮,丁佩. 硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究[J]. 天中学刊,2008,No.149(02):23-26.
APA 田勇亮,&丁佩.(2008).硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究.天中学刊,No.149(02),23-26.
MLA 田勇亮,et al."硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究".天中学刊 No.149.02(2008):23-26.
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