| 基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响 |
| 孙文斗; 顾广瑞; 孙龙; 李全军; 李哲奎; 盖同祥; 赵永年
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| 2004-06-26
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| 发表期刊 | 吉林大学学报(理学版)
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| ISSN | 1671-5489
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| 期号 | 02页码:251-254 |
| 摘要 | 利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的. |
| 关键词 | BN薄膜
场发射
基底温度
表面粗糙度
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| DOI | 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2004.02.023
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| URL | 查看原文
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| 收录类别 | 北大核心
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| 语种 | 中文
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| 资助项目 | 国家自然科学基金(批准号:59831040).
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| 原始文献类型 | 学术期刊
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/120271
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| 专题 | 国家开放大学吉林分部
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| 作者单位 | 延边大学理工学院物理系;吉林大学超硬材料国家重点实验室;延边广播电视大学;延吉133001
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| 第一作者单位 | 国家开放大学吉林分部
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| 第一作者的第一单位 | 国家开放大学吉林分部
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙文斗,顾广瑞,孙龙,等. 基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响[J].
吉林大学学报(理学版),2004(02):251-254.
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| APA |
孙文斗.,顾广瑞.,孙龙.,李全军.,李哲奎.,...&赵永年.(2004).基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响.吉林大学学报(理学版)(02),251-254.
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| MLA |
孙文斗,et al."基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响".吉林大学学报(理学版) .02(2004):251-254.
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