| 配位数为6的稀磁混自旋Ising系统磁性质理论推导 | |
| 张翠萍; 金爱华; 孙宇秋 | |
| 2000-11-15 | |
| 发表期刊 | 电大理工
 |
| ISSN | 1003-3319 |
| 期号 | 04页码:30-31+33 |
| 摘要 | 用相关有效场理论研究并推导出配位数为6时稀磁混自旋Ising系统磁学性质公式。 |
| 关键词 | 混自旋Ising模型 相关有效场方法 双子晶格 磁原子浓度 二项式展开 |
| URL | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/128378 |
| 专题 | 国家开放大学辽宁分部 |
| 作者单位 | 本溪广播电视大学;本溪技术监督局 |
| 第一作者单位 | 国家开放大学辽宁分部 |
| 第一作者的第一单位 | 国家开放大学辽宁分部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张翠萍,金爱华,孙宇秋. 配位数为6的稀磁混自旋Ising系统磁性质理论推导[J]. 电大理工,2000(04):30-31+33. |
| APA | 张翠萍,金爱华,&孙宇秋.(2000).配位数为6的稀磁混自旋Ising系统磁性质理论推导.电大理工(04),30-31+33. |
| MLA | 张翠萍,et al."配位数为6的稀磁混自旋Ising系统磁性质理论推导".电大理工 .04(2000):30-31+33. |
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