低温氧化与超薄介质层的生长及应用
郭向勇
1989-09-28
发表期刊物理
ISSN0379-4148
期号09页码:555-558
摘要低温氧化技术是生长10-30■任一超薄介质层的关键工艺.本文着重介绍低温氧化生长超薄介质层的物理机理和工艺原理.从超薄介质层在MIS(金属-绝缘层-半导体)太阳电池中的应用,可以看出它的存在和作用,也是对低温氧化技术的检验.
关键词介质层 太阳电池 氧原子 势垒高度 低温氧化 氧化层厚度
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语种中文
原始文献类型学术期刊
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/134906
专题国家开放大学南京分部
作者单位南京广播电视大学
第一作者单位国家开放大学南京分部
第一作者的第一单位国家开放大学南京分部
推荐引用方式
GB/T 7714
郭向勇. 低温氧化与超薄介质层的生长及应用[J]. 物理,1989(09):555-558.
APA 郭向勇.(1989).低温氧化与超薄介质层的生长及应用.物理(09),555-558.
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