| 低温氧化与超薄介质层的生长及应用 | |
| 郭向勇 | |
| 1989-09-28 | |
| 发表期刊 | 物理
 |
| ISSN | 0379-4148 |
| 期号 | 09页码:555-558 |
| 摘要 | 低温氧化技术是生长１０－３０■任一超薄介质层的关键工艺．本文着重介绍低温氧化生长超薄介质层的物理机理和工艺原理．从超薄介质层在ＭＩＳ（金属－绝缘层－半导体）太阳电池中的应用，可以看出它的存在和作用，也是对低温氧化技术的检验． |
| 关键词 | 介质层 太阳电池 氧原子 势垒高度 低温氧化 氧化层厚度 |
| URL | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/134906 |
| 专题 | 国家开放大学南京分部 |
| 作者单位 | 南京广播电视大学 |
| 第一作者单位 | 国家开放大学南京分部 |
| 第一作者的第一单位 | 国家开放大学南京分部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭向勇. 低温氧化与超薄介质层的生长及应用[J]. 物理,1989(09):555-558. |
| APA | 郭向勇.(1989).低温氧化与超薄介质层的生长及应用.物理(09),555-558. |
| MLA | 郭向勇."低温氧化与超薄介质层的生长及应用".物理 .09(1989):555-558. |
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