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	InGaN基可见光光电二极管研究进展
	黎斌; 卫静婷; 谭露雯
	2018-06-20
发表期刊	广东开放大学学报
ISSN	2095-932X
卷号	27期号:03页码:108-112
摘要	与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,In Ga N基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,In Ga N/Ga N MQWs为有源层结构和In Ga N体基结构光电二极管都表现出暗电流较大,外量子效率较低,探测带边接近紫外范围等缺点。虽然通过器件工艺和结构设计,可以提升器件的性能,但是In Ga N材料外延技术方面的突破才是器件提升性能的根本。
关键词	InGaN 可见光光电二极管 InGaN/GaN多重量子阱 金属-半导体-金属 金属-半导体 p-i-n
URL	查看原文
语种	中文
原始文献类型	学术期刊
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/137681
专题	国家开放大学广东分部
作者单位	广东开放大学广东理工职业学院
第一作者单位	国家开放大学广东分部
第一作者的第一单位	国家开放大学广东分部
推荐引用方式 GB/T 7714	黎斌,卫静婷,谭露雯. InGaN基可见光光电二极管研究进展[J]. 广东开放大学学报,2018,27(03):108-112.
APA	黎斌,卫静婷,&谭露雯.(2018).InGaN基可见光光电二极管研究进展.广东开放大学学报,27(03),108-112.
MLA	黎斌,et al."InGaN基可见光光电二极管研究进展".广东开放大学学报 27.03(2018):108-112.

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