| 电子技术基础(1)期末复习提要 |
| 沈雅芬
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| 1998-11-15
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| 发表期刊 | 当代电大
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| ISSN | 1006-0685
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| 期号 | 11页码:69-73 |
| 摘要 | <正> 1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体（硅）二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管（NPN型硅管）截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数IF,IR,UBR的物理意义,半导体三极管（NPN硅管）输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,ICBO,ICEO,ICM,PCM,U（BR）CEO的物理意义,NMOS管主要参数UTN的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容 |
| 关键词 | 反相器
NPN
组合逻辑电路
半导体三极管
多谐振荡器
异或门
单稳态触发器
练习题
物理意义
与非门
最小项
数据选择器
施密特触发器
状态转换图
卡诺图
期末复习
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| URL | 查看原文
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| 语种 | 中文
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| 原始文献类型 | 学术期刊
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/147277
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| 专题 | 国家开放大学
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| 作者单位 | 中央电大
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
沈雅芬. 电子技术基础(1)期末复习提要[J].
当代电大,1998(11):69-73.
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| APA |
沈雅芬.(1998).电子技术基础(1)期末复习提要.当代电大(11),69-73.
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| MLA |
沈雅芬."电子技术基础(1)期末复习提要".当代电大 .11(1998):69-73.
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