数字电子技术基础期未复习的基本内容和要求 | |
余孟尝 | |
1982-06-30 | |
发表期刊 | 电视大学
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ISSN | 1001-9901 |
期号 | 06页码:13-14+17 |
摘要 | <正> 第一章.门电路一、会分析计算对于比较简单的门电路要会分析计算,为此应该注意下面三点。1.熟悉半导体(硅)二极管和三极管的开关特性。(1)二极管:(?)导通条件:VD>0.7V。导通时的特点:VD≈0.7V,如同闭合的开关。截止条件:VD<0.5V。截止时的特点:ID≈0,如同断开的开关。(2)三极管(?)饱和导通条件:IB>IBS=ICS/β。饱和导通时的特点,V?≈0.7V,V?=V?≤0.3V,如同闭合的开关 |
关键词 | 门电路 三极管 TTL 电路结构 数字电子技术 真值表 全加器 工作原理 组合电路 时序电路 二极管 与非门 |
URL | 查看原文 |
语种 | 中文 |
原始文献类型 | 学术期刊 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/148358 |
专题 | 国家开放大学 |
作者单位 | 中央电大 主讲教师 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 余孟尝. 数字电子技术基础期未复习的基本内容和要求[J]. 电视大学,1982(06):13-14+17. |
APA | 余孟尝.(1982).数字电子技术基础期未复习的基本内容和要求.电视大学(06),13-14+17. |
MLA | 余孟尝."数字电子技术基础期未复习的基本内容和要求".电视大学 .06(1982):13-14+17. |
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