| MOS门电路的正确使用方法 |
| 任为民
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| 1985-09-28
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| 发表期刊 | 电视大学
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| ISSN | 1001-9901
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| 期号 | 09页码:39-41 |
| 摘要 | <正> MOS门电路因为结构简单、功耗低、扇出系数大和便于集成,所以发展很快。许多中、大规模以及超大规模的数字电路中,越来越多地采用它作为电路的基本单元。因此,在掌握了它工作原理的基础上。了解MOS门电路的使用方法,对于巩固所学知识,进行数字电路实验和今后工作都是十分有好处的。一、MOS门电路的栅极击穿问题MOS管栅极和源极、漏极、衬底之间有一层绝缘的二氧化硅（见图一）。栅极加有电压信号几乎没有电流,故呈现出极高的输入阻抗(约1012Ω),可以当成压控开关。利用这一开关特性可以组成单元门电路。但是栅极绝缘性能好,却也带来另一个问题,就是当栅极同其它带电物体接触时,转移到栅极上的电荷不易漏去。如果这些电荷积累到一定程度,可以使栅极电庄很高,造成二氧化硅层的击穿。这种击穿是不可逆的,将使MOS管损坏。 |
| 关键词 | MOS
二极管
正确使用
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| 语种 | 中文
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| 原始文献类型 | 学术期刊
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/148673
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| 专题 | 国家开放大学
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| 作者单位 | 中央电大电子教研室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
任为民. MOS门电路的正确使用方法[J].
电视大学,1985(09):39-41.
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| APA |
任为民.(1985).MOS门电路的正确使用方法.电视大学(09),39-41.
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| MLA |
任为民."MOS门电路的正确使用方法".电视大学 .09(1985):39-41.
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