| 《模拟电子技术基础》复习题解 | |
| 沈雅芬; 杨柏光 | |
| 1982-05-01 | |
| 发表期刊 | 电视大学
 |
| ISSN | 1001-9901 |
| 期号 | 04页码:15-17 |
| 摘要 | <正> 本文是八○级《模拟电子技术基础》课第一、二、三章复习题解答(复习题已在电视课上播出),供同学们参考。第一题:本题是考查对二极管伏安特性和对放大器输出电压的理解。1.因V_D很小,可忽略。由图1可知:E增加一倍,Ⅰ也近似增加一倍。 |
| 关键词 | 模拟电子技术基础 《模拟电子技术基础》 射极跟随器 |
| URL | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/148677 |
| 专题 | 国家开放大学 |
| 作者单位 | 中央电大电子教研组 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈雅芬,杨柏光. 《模拟电子技术基础》复习题解[J]. 电视大学,1982(04):15-17. |
| APA | 沈雅芬,&杨柏光.(1982).《模拟电子技术基础》复习题解.电视大学(04),15-17. |
| MLA | 沈雅芬,et al."《模拟电子技术基础》复习题解".电视大学 .04(1982):15-17. |
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