《电子技术基础》(1)复习练习题 | |
沈雅芬 | |
1999-12-30 | |
发表期刊 | 内蒙古电大学刊
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期号 | 04页码:104-106 |
摘要 | <正>(一)填空题:1. 硅二极管的导通条件是__,导通后的特点是——;NPN硅三极管饱和条件是————,饱和状态的三极管的UCE=—— 。2.三变星的逻辑函数,其最小项的个数共有 |
关键词 | 《电子技术基础》 状态转换图 反相器 最小项 练习题 |
URL | 查看原文 |
语种 | 中文 |
原始文献类型 | 学术期刊 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/148777 |
专题 | 国家开放大学 |
作者单位 | 中央电大理工部 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈雅芬. 《电子技术基础》(1)复习练习题[J]. 内蒙古电大学刊,1999(04):104-106. |
APA | 沈雅芬.(1999).《电子技术基础》(1)复习练习题.内蒙古电大学刊(04),104-106. |
MLA | 沈雅芬."《电子技术基础》(1)复习练习题".内蒙古电大学刊 .04(1999):104-106. |
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