《电子技术基础》(1)复习练习题
沈雅芬
1999-12-30
发表期刊内蒙古电大学刊
期号04页码:104-106
摘要<正>(一)填空题:1. 硅二极管的导通条件是__,导通后的特点是——;NPN硅三极管饱和条件是————,饱和状态的三极管的UCE=—— 。2.三变星的逻辑函数,其最小项的个数共有
关键词《电子技术基础》 状态转换图 反相器 最小项 练习题
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语种中文
原始文献类型学术期刊
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/148777
专题国家开放大学
作者单位中央电大理工部
推荐引用方式
GB/T 7714
沈雅芬. 《电子技术基础》(1)复习练习题[J]. 内蒙古电大学刊,1999(04):104-106.
APA 沈雅芬.(1999).《电子技术基础》(1)复习练习题.内蒙古电大学刊(04),104-106.
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