原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法
魏薇; 勾荣; 舒畅
2023-03-21
原始专利权人江苏开放大学(江苏城市职业学院)
授权国家中国
摘要本发明公开了一种原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法,包括步骤如下:利用透射电镜收集样品的原位数据;改变样品的外界液相环境,并记录不同影响因素下样品的原位数据;根据原位数据划分SnO2纳米晶体的生长阶段;测量和计算SnO2生长过程中的尺寸、面积和反应速率数据;对尺寸与时间的关系进行拟合,获得SnO2纳米晶体所属的LSW生长动力学模型;计算SnO2生长过程中暴露的高能面的表面能,得到表面能与纳米晶体择优生长的晶向的关系;测量和计算SnO2纳米晶体间的旋转速度和平移速度,并分析起主导作用的驱动力。本发明通过构建生长动力学模型,阐明生长机理,为SnO2微观结构的高效调控提供了可靠的理论基础。
申请日期2022-11-21
语种中文
专利状态实质审查
申请号CN202211456459.3
公开(公告)号CN115831283A
IPC 分类号G16C60/00 ; G16C10/00 ; C30B29/16 ; C30B7/14
专利代理人张雯
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司
专利类型发明申请
文献类型专利
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/163012
专题国家开放大学江苏分部
作者单位江苏开放大学(江苏城市职业学院)
第一作者单位国家开放大学江苏分部
推荐引用方式
GB/T 7714
魏薇,勾荣,舒畅. 原位动态表征SnO2纳米晶体生长过程的方法[P]. 2023-03-21.
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