单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究

doi:10.16818/j.issn1001-5868.2023112001

	单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究
	黎斌 1,2; 张震华 2; 卫静婷 1,2
	2024-06-27
发表期刊	半导体光电
ISSN	1001-5868
卷号	45 期号:3 页码:410-414
摘要	为提升InGaN基可见光探测器性能,制作并测试了基于GaN/InGaN MQWs外延材料的单边凹槽叉指电极MSM结构蓝光光电二极管。凹槽电极器件的I-V特性测试结果显示,相较于传统平面电极器件,偏压越增加,器件暗电流越小且越趋于平缓,而光电流越大;光谱响应率测试显示,器件截止带边都位于490nm附近,凹槽电极器件带边处拒绝比高于平面电极器件1个量级。偏压为5V时,凹槽电极器件响应率为0.0346A/W@480nm,对应外量子效率为8.94%,高于平面电极器件。器件性能提升的原因是单边凹槽电极结构有效改善了内建电场的分布,从而抑制了表面传导漏电流,使得器件暗电流更小且更有利于电极收集光生载流子,提升了响应率。
关键词	蓝光探测器 MSM GaN/InGaN多重量子阱单边凹槽电极内建电场分布
DOI	10.16818/j.issn1001-5868.2023112001
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收录类别	北大核心
语种	中文
资助项目	广东开放大学(广东理工职业学院)校级重点科研项目(ZD1905);
原始文献类型	学术期刊
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/170562
专题	国家开放大学广东分部
通讯作者	黎斌
作者单位	1.广东开放大学(广东理工职业学院)工程技术学院; 2.中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室
第一作者单位	国家开放大学广东分部
通讯作者单位	国家开放大学广东分部
第一作者的第一单位	国家开放大学广东分部
推荐引用方式 GB/T 7714	黎斌,张震华,卫静婷. 单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究[J]. 半导体光电,2024,45(3):410-414.
APA	黎斌,张震华,&卫静婷.(2024).单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究.半导体光电,45(3),410-414.
MLA	黎斌,et al."单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究".半导体光电 45.3(2024):410-414.