基于金属浮栅层有机薄膜非易失性存储器的制备与表征
胡启明
2020-03-25
发表期刊塑料科技
ISSN1005-3360
卷号48期号:03页码:43-46
摘要以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为栅介质,以并五苯为有机薄膜制备了有机薄膜非易失性存储器,研究基于热蒸发金属金浮栅层的存储行为。在2 s脉冲的偏压下,浮栅层通过充放电过程可导致明显的阈值电压偏移。在1 V的脉冲电压下可实现电荷的写入/擦除操作,在6 V的脉冲电压下可获得30.0 V的存储窗口。实验结果表明,基于金属浮栅层并以并五苯作为有机薄膜来制备非易失性存储器具有一定的研究价值和应用前景。
关键词有机薄膜 聚甲基丙烯酸 并五苯 金属浮栅层 阈值电压
DOI10.15925/j.cnki.issn1005-3360.2020.03.010
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收录类别北大核心
语种中文
原始文献类型学术期刊
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/53207
专题国家开放大学河南分部
通讯作者胡启明
作者单位信阳广播电视大学
第一作者单位国家开放大学河南分部
通讯作者单位国家开放大学河南分部
第一作者的第一单位国家开放大学河南分部
推荐引用方式
GB/T 7714
胡启明. 基于金属浮栅层有机薄膜非易失性存储器的制备与表征[J]. 塑料科技,2020,48(03):43-46.
APA 胡启明.(2020).基于金属浮栅层有机薄膜非易失性存储器的制备与表征.塑料科技,48(03),43-46.
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