| 浅析SiC材料特性及生长工艺 | |
| 瞿诗瑜 | |
| 2016-09-25 | |
| 发表期刊 | 黑龙江科技信息
 |
| ISSN | 1673-1328 |
| 期号 | 27页码:110-111 |
| 摘要 | SiC材料因为具有宽禁带、较高的临界击穿电场、较高的饱和电子速率以及非常高的热导率等优良特性,非常适合被用来制作高温、高频、大功率器件。本文对SiC的晶体结构及材料特性进行了简单介绍,并浅析了SiC材料的生长工艺及优缺点,对后续SiC研究趋势进行了展望。 |
| 关键词 | SiC 材料 工艺 |
| URL | 查看原文 |
| 语种 | 中文 |
| 原始文献类型 | 学术期刊 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/62389 |
| 专题 | 国家开放大学陕西分部 |
| 作者单位 | 陕西广播电视大学 |
| 第一作者单位 | 国家开放大学陕西分部 |
| 第一作者的第一单位 | 国家开放大学陕西分部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瞿诗瑜. 浅析SiC材料特性及生长工艺[J]. 黑龙江科技信息,2016(27):110-111. |
| APA | 瞿诗瑜.(2016).浅析SiC材料特性及生长工艺.黑龙江科技信息(27),110-111. |
| MLA | 瞿诗瑜."浅析SiC材料特性及生长工艺".黑龙江科技信息 .27(2016):110-111. |
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