单原子层角GeC2-碳锗二炔稳定结构第一性原理研究
张翠萍1; 柳俊先2; 辛子华2
2016-08-15
发表期刊辽宁大学学报(自然科学版)
ISSN1000-5846
卷号43期号:03页码:229-232
摘要采用第一性原理的密度泛函方法研究了类石墨二炔的碳锗二炔结构及性质,获得了γ-碳锗二炔的几何结构及电子结构,得到其稳定的构型是Ge原子在六角晶格顶点、晶格常数为12.089的单原子层低褶皱蜂窝状结构,为半导体材料,带隙值是0.523 e V.
关键词γ-石墨二炔 角GeC2-碳锗二炔 局域密度泛函 能带 态密度
DOI10.16197/j.cnki.lnunse.2016.03.007
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语种中文
原始文献类型学术期刊
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.library.ouchn.edu.cn/handle/39V7QQFX/63685
专题国家开放大学辽宁分部
作者单位1.本溪广播电视大学;
2.上海大学物理系
第一作者单位国家开放大学辽宁分部
第一作者的第一单位国家开放大学辽宁分部
推荐引用方式
GB/T 7714
张翠萍,柳俊先,辛子华. 单原子层角GeC2-碳锗二炔稳定结构第一性原理研究[J]. 辽宁大学学报(自然科学版),2016,43(03):229-232.
APA 张翠萍,柳俊先,&辛子华.(2016).单原子层角GeC2-碳锗二炔稳定结构第一性原理研究.辽宁大学学报(自然科学版),43(03),229-232.
MLA 张翠萍,et al."单原子层角GeC2-碳锗二炔稳定结构第一性原理研究".辽宁大学学报(自然科学版) 43.03(2016):229-232.
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